2D Material Channel Transistor (2D 소재 채널 트랜지스터)

그래핀(Graphene), 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀레늄화텅스텐(WSe2)과 같은 원자 두께의 2차원(2D) 물질을 트랜지스터의 채널로 활용하는 차세대 소자입니다. 이들 2D 소재는 뛰어난 전하 이동도와 매우 얇은 두께로 인해 게이트의 채널 제어력을 극대화하여 단채널 효과를 효과적으로 억제할 수 있습니다. 특히 1nm 이하의 궁극적인 스케일링 한계를 극복하기 위한 대안으로 연구되고 있으며, 저전력 및 고성능 특성을 동시에 제공할 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다. 양산 적용을 위해서는 대면적 균일 성장 및 고품질 접합 기술 등의 도전 과제가 남아 있습니다.