전공정(FAB)
3D Gate-All-Around (3D GAA)
기존의 평면적인 트랜지스터 구조에서 벗어나 게이트가 채널을 3면 이상 감싸는 GAA 구조를 3차원적으로 적층하여 집적도를 극대화하는 기술입니다. 이는 2D 평면 트랜지스터의 스케일링 한계를 극복하고, 더 적은 면적에 더 많은 트랜지스터를 배치하여 성능 향상과 전력 효율성 개선을 동시에 달성하게 해줍니다. 3D GAA 구조는 3D CFET(Complementary Field-Effect Transistor)와 같은 차세대 트랜지스터 아키텍처의 기반이 됩니다.
최종 업데이트: 2026.04.13