기술 용어 사전
반도체 설계, 공정, 패키징 및 실무 전문 용어를 체계적으로 정리했습니다.
공정
AAPSM
2026.04.03
인접한 패턴 사이의 Quartz를 깎아 위상차를 만드는 방식으로 해상력을 극대화한 방식입니다.
공정
AIMS
2026.04.03
노광 장비의 렌즈를 거쳐 웨이퍼에 투영될 '예상 이미지'를 시각화하여 품질을 검증하는 시스템입니다.
공정
ALC
2026.04.03
Advanced Low-K. 층간 절연막의 정전 용량을 낮추어 신호 전달 속도를 높이고 전력 소모를 줄이는 소재 기술.
공정
ALD
2026.04.03
원자 층 단위로 층층이 쌓아 올려 매우 얇고 균일한 막을 형성하는 최신 증착 방식입니다.
공정
AP
2026.04.03
스마트폰의 두뇌. CPU, GPU, 모뎀 등이 하나로 통합된 SoC입니다.
공정
Absorber
2026.04.03
반사된 빛의 일부를 흡수하여 회로의 명암(다크 부위)을 만드는 층입니다. 최근 Ta에서 High-k 기반으로 진화 중입니다.
공정
Actinic Inspection
2026.04.03
EUV 광원을 직접 사용하여 마스크의 반사율 결함을 검사하는 광학 검사 방식입니다.
공정
Anamorphic Magnification
2026.04.03
그림자 효과를 줄이기 위해 가로와 세로의 배율을 다르게 투영하는 ASML EXE 장비용 렌즈 기술입니다.
공정
BCD
2026.04.03
Bipolar-CMOS-DMOS. 아날로그 통제용 바이폴라, 디지털 제어용 CMOS, 고전압 구동용 DMOS를 하나의 칩에 구현한 복합 공정 기술.
공정
Bumping
2026.04.03
칩과 기판을 연결하기 위해 칩 표면에 납볼(Solder Ball) 등을 형성하는 공정입니다.
공정
Burn-in Test
2026.04.03
고온, 고전압 등 극한 환경에서 신뢰성을 검사하여 잠복된 불량을 사전에 걸러내는 공정입니다.
공정
CD
2026.04.03
마스크 상의 임계 치수(선폭)입니다. CD 균일도(Uniformity)가 수율을 좌우합니다.
공정
CD-SEM
2026.04.03
미세 패턴의 가로/세로 길이를 나노 단위로 정밀하게 계측하는 전용 전자현미경입니다.
공정
CMOS Image Sensor
2026.04.03
빛을 전기 신호로 변환하여 사진을 찍는 디지털 카메라의 두뇌 역할을 하는 센서입니다.
공정
CMP
2026.04.03
화학적 반응과 기계적 연마를 동시에 사용하여 웨이퍼 표면을 평탄하게 만드는 공정입니다.
공정
CNT Pellicle
2026.04.03
탄소나노튜브 기반의 차세대 펠리클로, 내구성과 투과율이 뛰어나 EUV 분야에서 각광받습니다.
공정
CVD
2026.04.03
기체 상태의 화학 반응을 통해 박막을 형성하는 방식입니다.
공정
Capping Layer
2026.04.03
반사층(ML) 오염 및 산화를 막기 위해 루테늄(Ru)으로 얇게 코팅한 보호층입니다.
공정
Cleaning
2026.04.03
잔류물 및 파티클을 제거하는 공정으로, 황산이나 오존수 등을 사용하며 표면 거칠기 관리가 핵심입니다.
공정
Cu Damascene
2026.04.03
구리는 식각이 어렵기 때문에 미리 패턴 홈을 파고 구리를 채운 뒤 깎아내는 금속 배선 공법입니다.
공정
DHF / SiNx Pellicle
2026.04.03
DUV 노광 광원에 최적화된 불화물 또는 질화규소 계열의 전통적인 펠리클 소재입니다.
공정
DOF
2026.04.03
패턴이 비정상적으로 뭉개지지 않고 선명하게 유지되는 초점의 깊이 범위입니다.
공정
DPT
2026.04.03
미세 선폭 구현을 위해 노광과 식각을 두 번 반복하여 해상력의 한계를 극복하는 기술입니다.
공정
DRAM
2026.04.03
전하를 저장하여 데이터를 유지하지만 주기적으로 충전이 필요한 휘발성 메모리입니다.
공정
DUV
2026.04.03
심자외선 노광 기술로, ArF나 KrF 광원을 사용하여 회로를 형성합니다.
공정
Dark Field Inspection
2026.04.03
반사되지 않는 영역에서 튀어나오는 산란광을 분석하여 보이지 않는 결함을 찾는 기술입니다.
공정
Develop
2026.04.03
빔 조사 후 성질이 변한 감광액(PR) 부위를 씻어내어 패턴 형상을 드러내는 공정입니다.
공정
Dicing
2026.04.03
전공정이 끝난 웨이퍼를 개별 칩으로 자르는 공정입니다. (다이아몬드 소 또는 레이저 사용)
공정
Die-to-Database
2026.04.03
실제 제작된 마스크와 원본 설계 데이터를 1:1로 비교하여 패턴 오차를 찾아내는 정밀 검사입니다.
공정
Die-to-Die
2026.04.03
웨이퍼 상의 인접한 동일 패턴 두 개를 마스크 상에서 비교하여 차이점(결함)을 찾는 검사입니다.
공정
Discretionary Patterns
2026.04.03
공정 여유도를 높이기 위해 설계 자유도 범위 내에서 임의로 추가하는 보정 성분입니다.
공정
Dry Etch
2026.04.03
플라스마 가스를 사용하여 차광막(크롬 등)을 수직으로 깎음으로써 패턴을 완성하는 공정입니다.
공정
E-beam Repair
2026.04.03
전자빔으로 필요한 부위에 가스를 증착하거나 깎아내는 정밀 수리 기술입니다.
공정
E-beam Writing
2026.04.03
전자빔을 쏘아 마스크 위에 아주 미세한 패턴을 직접 그리는 과정입니다. 정밀하지만 시간이 오래 걸립니다.
공정
EAPSM
2026.04.03
차광막 두께를 조절하여 일부 빛을 투과시키고 위상을 반전시키는 반투과형 위상 마스크입니다.
공정
EDS
2026.04.03
웨이퍼 상태에서 개별 칩들의 전기적 특성을 검사하여 불량을 선별하는 첫 테스트입니다.
공정
EMC 몰딩
2026.04.03
열경화성 수지를 채워 칩을 외부 습기나 충격으로부터 물리적으로 보호하는 성형 단계입니다.
공정
EUV
2026.04.03
Extreme Ultraviolet Lithography. 극자외선 노광 공정. 13.5nm의 아주 짧은 파장을 사용하여 미세한 회로를 그리는 차세대 핵심 공정.
공정
EUV Double Patterning
2026.04.03
EUV로도 한 번에 그리기 힘든 미세 회로를 두 번에 나눠 완성하는 초미세 공정 기법입니다.
공정
EUV Pellicle
2026.04.03
EUV 빛은 거의 모든 물질에 흡수되므로, 90% 이상의 고투과율을 가진 50nm 수준의 초박막 펠리클입니다.
공정
Epitaxy
2026.04.03
기존 결정과 동일한 방향을 가진 완벽한 결정층을 성장시키는 박막 형성 기술입니다.
공정
FO-WLP
2026.04.03
칩 영역 밖까지 입출력 단자를 배치하여 성능을 높이고 두께를 줄인 최첨단 패키지 기술입니다.
공정
FinFET
2026.04.03
Fin Field-Effect Transistor. 채널이 물고기 지느러미(Fin) 모양으로 3면이 게이트와 접하는 3차원 트랜지스터 구조.
공정
Flip Chip
2026.04.03
칩을 뒤집어 회로 단자와 기판을 직접 연결하여 신호 간섭을 줄이고 성능을 높인 기술입니다.
공정
Full-field Pellicle
2026.04.03
전체 패턴 영역을 한 번에 커버할 수 있는 대면적 펠리클 제조 기술입니다.
공정
GAA
2026.04.03
Gate-All-Around. 게이트가 채널의 4면을 모두 감싸는 구조. 전류 조절 능력을 극대화하여 3nm 이하 미세 공정의 핵심 기술로 꼽힘.
공정
GPU
2026.04.03
병렬 연산에 특화되어 그래픽 처리뿐만 아니라 AI 연산에도 널리 쓰이는 가속기입니다.
공정
GaN
2026.04.03
스위칭 속도가 빠르고 열 발생이 적어 초고속 충전기나 통신 장비에 쓰이는 화합물 반도체 소재입니다.
공정
Ghost Image
2026.04.03
마스크 내부의 원치 않는 반사로 인해 웨이퍼에 흐릿하게 잔상이 남는 결함 현상입니다.
공정
Handler
2026.04.03
초저온/고온 환경을 조성하고 테스트 전후의 칩을 자동으로 분류 및 이동시키는 장비입니다.
공정
Hard Defect
2026.04.03
패턴 자체가 잘못 깎이거나 남은 결함으로, 반드시 리페어 장비로 물리적 수리가 필요합니다.
공정
Hard Mask
2026.04.03
식각 공정 중 하부의 패턴을 보호하기 위해 일시적으로 사용되는 매우 단단한 막질입니다.
공정
Haze
2026.04.03
마스크 사용 중 에너지가 가해지며 오염 물질이 결정화되는 현상으로, 수율을 떨어뜨리는 주 원인입니다.
공정
High-NA
2026.04.03
High Numerical Aperture. EUV 노광기의 렌즈 구경(NA)을 0.33에서 0.55로 키워 더 미세한 패턴을 형성하는 차세대 EUV 기술.
공정
High-NA EUV
2026.04.03
기존 EUV보다 더 정밀한 렌즈를 사용하여 2나노 이하 공정에서 패턴을 더 미세하게 그리는 차세대 노광 장비입니다.
공정
Hybrid Bonding
2026.04.03
칩 사이에 범프 없이 구리(Cu)와 구리를 직접 붙여 데이터 전달 효율을 극대화하는 차세대 본딩 기술입니다.
공정
ILT
2026.04.03
원하는 웨이퍼 이미지를 기반으로 수학적으로 역계산하여 복잡한 마스크 패턴을 생성하는 차세대 보정 기술입니다.
공정
IMD
2026.04.03
여러 층의 금속 배선 사이를 절연시켜 간섭을 방지하는 절연층입니다.
공정
IPA Dry
2026.04.03
이소프로필알코올 증기를 사용하여 웨이퍼 표면의 수분을 치환하여 건조하는 방식입니다.
공정
JTAG
2026.04.03
메인보드에 결합된 상태에서 칩 내부의 연결 상태를 검사하기 위해 칩 내부에 심어놓은 테스트 규격입니다.
공정
Jog
2026.04.03
노광 시 빛의 간섭을 보상하기 위해 직선 패턴에 주어지는 미세한 굴곡입니다.
공정
LOCOS
2026.04.03
소자 간 절연을 위해 특정 영역만 선택적으로 산화시키는 전통적인 격리 공법입니다.
공정
LPCVD
2026.04.03
저압 환경에서 박막 품질과 균일도를 극대화하여 두터운 막 형성에 쓰이는 방식입니다.
공정
Laser Repair
2026.04.03
패턴의 남는 부분(Cr 조각 등)을 고출력 레이저로 태워 없애는 수리 방식입니다.
공정
Laser Writing
2026.04.03
자외선 레이저를 사용하여 상대적으로 큰 패턴을 빠르게 그리는 방식입니다.
공정
Logic IC
2026.04.03
논리 연산을 수행하는 반도체로, CPU나 모바일 AP가 이에 해당합니다.
공정
Longevity
2026.04.03
수만 번의 샷(Shot) 노출에도 투과율 저하 없이 견디는 펠리클의 수명입니다.
공정
ML
2026.04.03
Mo와 Si를 40~50층 번갈아 쌓아 EUV 빛을 효과적으로 반사시키는 반사층 구조입니다.
공정
MRC
2026.04.03
마스크 공정에서 제조 가능한 수준의 패턴인지(최소 간격 등) 설계 규칙을 검증하는 단계입니다.
공정
Marangoni Drying
2026.04.03
표면 장력 차이를 이용하여 웨이퍼 표면에 물기나 얼룩 없이 완벽하게 건조하는 기술입니다.
공정
Meeff
2026.04.03
마스크상의 미세한 오차가 웨이퍼상에서 몇 배로 확대되어 나타나는 민감도를 뜻합니다.
공정
MoSi
2026.04.03
위상 편이 성질을 가진 반투명 차광막 재료로, PSM 제조에 널리 쓰입니다.
공정
Molding
2026.04.03
외부 충격으로부터 칩을 보호하기 위해 에폭시 수지(EMC) 등으로 감싸는 성형 공정입니다.
공정
Multi-beam
2026.04.03
E-beam 헤드를 수천 개로 늘려 복잡한 곡선형 ILT 패턴을 빠르게 그릴 수 있게 한 차세대 장비입니다.
공정
NA
2026.04.03
개구수. 렌즈의 빛을 모으는 능력으로, High-NA 장비일수록 미세 패턴에 유리합니다.
공정
NAND Flash
2026.04.03
전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 비휘발성 메모리로, 대용량 저장 장치(SSD)에 쓰입니다.
공정
NPU
2026.04.03
인간의 뇌 구조인 신경망을 본떠 인공지능 연산에만 특화시킨 차세대 프로세서입니다.
공정
OMOG
2026.04.03
크롬 대신 MoSi 두꺼운 층을 사용하여 초미세 패턴 형성을 돕는 차세대 마스크 소재입니다.
공정
OPC
2026.04.03
빛의 회절 현상으로 인한 패턴 왜곡을 미리 계산하여 마스크 형상을 보정하는 기술입니다.
공정
OPE
2026.04.03
인접한 패턴의 밀도나 거리에 따라 빛의 강도가 다르게 나타나 패턴이 변형되는 물리적 현상입니다.
공정
Outgassing
2026.04.03
진공 상태인 E-beam 챔버 내에서 마스크 재료가 가스를 방출하여 묘화 품질을 저해하는 현상입니다.
공정
PEB
2026.04.03
노광 후 열처리를 통해 감광액 내부의 산 성분을 확산시켜 패턴 경계를 명확히 하는 단계입니다.
공정
PECVD
2026.04.03
플라스마를 사용하여 상대적으로 낮은 온도에서 박막을 빠르게 증착하는 방식입니다.
공정
PIM
2026.04.03
메모리 내부에서 연산 기능까지 수행하여 데이터 이동 거리를 줄이고 연산 속도를 높인 차세대 지능형 반도체입니다.
공정
PR
2026.04.03
포토레지스트. 빛에 반응하여 물리적/화학적 성질이 변하는 감광액입니다.
공정
PSM
2026.04.03
위상 편이 마스크. 빛의 위상을 180도 반전시켜 간섭 현상을 유도해 해상도를 높인 고성능 마스크입니다.
공정
PVD
2026.04.03
물리적 방식(증발, 스퍼터링)으로 입자를 날려 박막을 형성하는 방식입니다.
공정
Pellicle
2026.04.03
노광 공정에서 포토마스크를 이물질로부터 보호하는 얇은 막. EUV 공정에서는 투과율 확보가 매우 까다로운 핵심 부품.
공정
Pellicle Attaching
2026.04.03
마스크 표면에 펠리클을 공기 방울 없이 정밀하게 붙이는 자동화 공정입니다.
공정
Pellicle Frame
2026.04.03
박막을 지탱하는 금속 테두리입니다. 마스크의 평탄도에 영향을 주므로 정밀 조립이 중요합니다.
공정
Phase Shift EUV Mask
2026.04.03
흡수체뿐만 아니라 위상 전이를 활용하여 EUV 마스크의 해상력을 한 단계 더 높이는 최신 기술입니다.
공정
Pressure Balancing
2026.04.03
장비 내부의 기압 변화 시 펠리클 박막이 찢어지지 않도록 기압을 조절해주는 벤트(Vent) 설계입니다.
공정
Probe Card
2026.04.03
테스트 장비와 웨이퍼를 연결해주는 수천 개의 미세한 핀이 달린 핵심 부품입니다.
공정
QDR
2026.04.03
웨이퍼를 물속에 담갔다가 순식간에 배수하여 오염물을 제거하는 고속 린스 공법입니다.
공정
RCA Cleaning
2026.04.03
SC-1(암모니아), SC-2(염산) 수용액을 사용하여 금속과 유기 오점을 제거하는 표준 세정법입니다.
공정
RIE
2026.04.03
화학적 반응과 물리적 타격을 결합하여 속도와 정밀도를 모두 잡은 대표적 건식 식각입니다.
공정
RTP
2026.04.03
웨이퍼를 램프 등으로 수 초 내에 급속 가열하여 원치 않는 확산을 최소화하는 열처리 기술입니다.
공정
Reflective Mask
2026.04.03
EUV는 거의 모든 물질에 흡수되므로 전통적인 투과형이 아닌 거울처럼 반사하는 구조의 마스크를 사용합니다.
공정
Registration
2026.04.03
회로 패턴이 마스크 상의 정확한 좌표(디자인 센터)에 위치했는지를 측정하는 지표입니다.
공정
Reliability
2026.04.03
제품이 수명 기간 동안 고장 없이 정상적으로 작동할 수 있는 성능 지표입니다.
공정
Resist
2026.04.03
마스크용 감광 재료로 전자빔용(EBR)과 레이저용으로 나뉘며, 감도(Sensitivity)가 중요합니다.
공정
SEM
2026.04.03
주사전자현미경. 미세 회로의 결함을 눈으로 확인하기 위해 나노 단위까지 고배율로 관찰하는 장치입니다.
공정
SIP
2026.04.03
서로 다른 기능을 가진 개별 칩들을 하나의 패키지 안에 담아 시스템을 구현하는 기술입니다.
공정
SOH
2026.04.03
기존 마스크보다 두께가 얇고 평탄도가 좋아 노광 한계를 극복하기 위해 쓰이는 코팅형 하드마스크입니다.
공정
SRAF
2026.04.03
실제로는 인쇄되지 않지만, 메인 패턴의 해상력을 돕기 위해 주변에 배치한 아주 작은 보조 패턴입니다.
공정
SRAM
2026.04.03
속도가 매우 빠르지만 가격이 비싸 CPU 캐시 메모리 등에 사용되는 휘발성 메모리입니다.
공정
STI
2026.04.03
도랑을 파고 절연물을 채워 소자를 격리하는 기술로, 고집적도 공정에 필수적입니다.
공정
Serif
2026.04.03
패턴의 모서리가 둥글게 뭉개지는 것을 막기 위해 모서리에 추가한 작은 돌기 모양의 보정 패턴입니다.
공정
Shadowing Effect
2026.04.03
EUV가 경사지게 입사하기 때문에, 마스크 패턴 두께로 인해 생기는 회로 그림자 현상입니다.
공정
SiC
2026.04.03
기존 실리콘보다 고온/고전압에 강해 전기차 전력 반도체용으로 각광받는 차세대 소재입니다.
공정
Soft Defect
2026.04.03
공정 중 묻은 이물질(Particle)과 같이 세정으로 제거 가능한 결함입니다.
공정
Stochastic Error
2026.04.03
극미세 노광 공정에서 발생하는 무작위적 패턴 오류로, 2나노 이하 제조의 새로운 난제입니다.
공정
TEM
2026.04.03
칩의 수직 단면을 원자 수준까지 관찰하여 공정 결함을 찾는 초고해상도 계측기입니다.
공정
Thermal Management
2026.04.03
고출력 노광 에너지를 견디기 위해 펠리클의 열을 방출시키는 방열 설계 기술입니다.
공정
Verification
2026.04.03
OPC가 적용된 최종 데이터가 실제 노광 시 의도한 공정 윈도우를 확보하는지 시뮬레이션하는 과정입니다.
공정
Yield Management
2026.04.03
불량 원인을 분석하여 팹 내부의 공정 조건을 개선함으로써 수율을 높이는 활동입니다.
공정
ZEP-520 / FEP-171
2026.04.03
마스크 산업에서 고해상도 구현을 위해 전통적으로 널리 쓰이는 전자빔 전용 레지스트 명칭입니다.
공정
건식 산화
2026.04.03
산소 기체만 사용하여 박막 품질이 우수한 게이트 산화막 등을 형성할 때 사용합니다.
공정
건식 식각
2026.04.03
플라스마나 활성 기체를 사용하여 미세한 회로를 수직으로 정밀하게 깎는 방식입니다.
공정
격자 결함
2026.04.03
이온의 빠른 충돌로 인해 실리콘 결정 구조가 일시적으로 파괴된 상태입니다.
공정
노광
2026.04.03
빛을 이용하여 마스크의 회로 패턴을 웨이퍼 위에 그려 넣는 핵심 공정입니다.
공정
다이싱
2026.04.03
그라인딩된 웨이퍼를 개별 유닛(칩)으로 정밀하게 자르는 절단 공정입니다.
공정
도즈
2026.04.03
단위 면적당 주입된 이온의 총량으로, 반도체의 저항치를 결정합니다.
공정
도펀트
2026.04.03
실리콘에 주입하는 3족(붕소) 또는 5족(인, 비소) 원소로 전기적 성질을 결정합니다.
공정
드라이브-인
2026.04.03
주입된 이온을 열로 깊게 퍼뜨려 균일한 접합부(Junction)를 형성하는 확산 과정입니다.
공정
로우-k
2026.04.03
신호 지연(RC Delay)을 줄이기 위해 유전 상수가 낮은 특수 절연 물질입니다.
공정
리플로우
2026.04.03
배선을 형성한 후 열을 가해 금속을 살짝 녹여 빈틈없이 채우는 과정입니다.
공정
마스크
2026.04.03
회로 패턴이 그려진 유리 기판으로, 노광 공정에서 원본 사진 필름 역할을 합니다.
공정
무어의 법칙
2026.04.03
약 2년마다 반도체 칩에 집적되는 트랜지스터 수가 2배로 증가한다는 경험 법칙입니다.
공정
바이너리 마스크
2026.04.03
빛을 단순히 통과(Quartz)시키거나 차단(Chrome)하는 두 가지 상태만 가진 가장 기본적인 마스크입니다.
공정
박막
2026.04.03
웨이퍼 위에 증착된 아주 얇은 두께의 절연막 또는 금속막입니다.
공정
박막 성장
2026.04.03
기존 기판의 원자 배열을 따라 새로운 층을 물리적으로 성장시키는 기술입니다.
공정
백그라인딩
2026.04.03
패키징 전 웨이퍼의 뒷면을 갈아내어 칩의 두께를 아주 얇게 만드는 공정입니다.
공정
범핑
2026.04.03
패키지 연결을 위해 칩 단자 위에 형성한 전도성 금속 돌기입니다.
공정
베리어 메탈
2026.04.03
금속 원자가 하부로 침투하는 것을 막기 위해 먼저 까는 얇은 금속층(TiN/TaN 등)입니다.
공정
베벨 폴리싱
2026.04.03
웨이퍼 가장자리(Edge)를 둥글게 연마하여 공정 중 파손 및 오염을 방지하는 공정입니다.
공정
블랭크 마스크
2026.04.03
패턴이 그려지지 않은 순수 마스크 원재료입니다. Quartz 위에 차광막과 감광액이 코팅된 상태입니다.
공정
비아 / 콘택트
2026.04.03
서로 다른 층의 금속 배선이나 기판과 배선을 수직으로 연결하는 통로입니다.
공정
산화
2026.04.03
실리콘 표면에 산소나 수증기를 반응시켜 절연막(SiO2)을 형성하는 물리화학적 공정입니다.
공정
선택비
2026.04.03
표적 물질과 보존 물질 간의 식각 속도 차이로, 높을수록 원하는 부위만 깔끔하게 제거됩니다.
공정
세정
2026.04.03
공정 중 발생한 파티클이나 오염물을 화학 약품으로 완벽하게 제거하는 과정입니다.
공정
소프트 베이크
2026.04.03
코팅 후 열을 가해 용매를 제거하고 감광액을 웨이퍼에 밀착시키는 과정입니다.
공정
수율
2026.04.03
웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 정상 칩의 비율로, 반도체 제조 효율성을 나타내는 핵심 지표입니다.
공정
스캐너
2026.04.03
마스크와 웨이퍼를 동시에 이동시켜 더 넓은 영역을 고해상도로 노광하는 장비입니다.
공정
스캐럽
2026.04.03
반복적인 식각 공정에서 벽면에 물결 모양의 요철이 생기는 현상입니다 (TSV 공정에서 주의).
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스태퍼
2026.04.03
웨이퍼를 구역별로 이동시키며 샷(Shot) 단위로 노광하는 포토 장비입니다.
공정
스텝 커버리지
2026.04.03
단차가 있는 부위에서 박막이 수직 벽면까지 얼마나 균일하게 덮였는지를 나타내는 지표입니다.
공정
스퍼터링
2026.04.03
이온 입자를 타겟(소재)에 충돌시켜 튀어나온 입자를 웨이퍼에 입히는 PVD의 일종입니다.
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스핀 코팅
2026.04.03
웨이퍼를 회전시켜 감광액(PR)을 얇고 균일하게 도포하는 기초 기술입니다.
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습식 산화
2026.04.03
수증기를 사용하여 성장 속도가 빠르며 상대적으로 두꺼운 절연막(Field Oxide) 등에 쓰입니다.
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습식 식각
2026.04.03
화학 용액을 사용하여 넓은 면적을 빠르게 깎는 방식입니다.
공정
식각
2026.04.03
화학 물질이나 플라스마를 이용해 웨이퍼에서 필요한 부분 외의 영역을 깎아내는 공정입니다.
공정
애싱
2026.04.03
식각 공정 후 남아있는 포토레지스트(PR)를 고온의 산소 플라스마로 태워 제거하는 공정입니다.
공정
어닐링
2026.04.03
격자 결함을 복구하고 이온을 안정화시키는 장시간의 고온 열처리 공정입니다.
공정
얼라인먼트
2026.04.03
이전 공정 패턴과 현재 마스크의 위치를 나노미터 단위로 정밀하게 맞추는 정렬 작업입니다.
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에너지
2026.04.03
이온 입자를 가속하는 힘으로, 주입되는 깊이를 결정하는 핵심 요소입니다.
공정
오버 에칭
2026.04.03
웨이퍼 전체의 균일도를 위해 하부막 손상을 감수하고 조금 더 깎는 방식입니다.
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와이어 본딩
2026.04.03
금선이나 구리선을 이용해 칩과 외부 전극을 연결하는 가장 고전적인 연결법입니다.
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웨이퍼
2026.04.03
반도체 집적회로의 기반이 되는 실리콘(Si) 재질의 얇은 원판입니다.
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웨이퍼 슬라이싱
2026.04.03
잉곳을 다이아몬드 와이어 등을 사용하여 일정한 두께의 원판으로 절단하는 작업입니다.
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이방성
2026.04.03
수평보다 수직 방향의 식각 속도가 빨라 수직 기둥 형태의 패턴을 만드는 성질입니다.
공정
이온 주입
2026.04.03
전기적 특성을 부여하기 위해 반도체 기판에 불순물(도펀트)을 고에너지로 주입하는 공정입니다.
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일렉트로플레이팅
2026.04.03
전기 도금 방식을 통해 구리 배선을 빠르고 조밀하게 채우는 공정입니다.
공정
잉곳
2026.04.03
웨이퍼를 만들기 위해 실리콘을 고온에서 녹여 기둥 모양으로 만든 결정체입니다.
공정
적층
2026.04.03
용량을 키우기 위해 반도체 칩이나 셀을 수직으로 쌓아 올리는 기술입니다.
공정
증착
2026.04.03
웨이퍼 위에 나노미터 두께의 얇은 막(박막)을 입히는 공정입니다.
공정
채널링
2026.04.03
이온이 결정 사이의 빈틈을 따라 예상보다 깊게 뚫고 지나가는 부작용 현상입니다.
공정
초크랄스키 법
2026.04.03
단결정 실리콘 잉곳을 성장시키는 가장 대표적인 회전 인상 공법입니다.
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쿼츠
2026.04.03
투과도가 높은 석영 유리판으로, 열팽창 계수가 낮아 미세 공정용 마스크 기판으로 사용됩니다.
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크롬
2026.04.03
전통적으로 차광막 재료로 쓰이는 금속입니다. 뛰어난 밀착성과 식각 제어력을 가집니다.
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클린룸
2026.04.03
반도체 제조를 위해 미세먼지, 온습도, 진동이 극도로 제어된 청정 제조 공간입니다.
공정
틸트 / 트위스트
2026.04.03
채널링을 막기 위해 웨이퍼를 미세하게 기울이거나 회전시켜 주입하는 각도 제어입니다.
공정
퍼니스
2026.04.03
확산이나 산화 공정을 위해 수백 명의 웨이퍼를 동시에 가열하는 대형 열처리 장치입니다.
공정
펠리클
2026.04.03
마스크 표면 위를 덮는 얇은 투명막입니다. 먼지가 마스크에 직접 묻는 것을 막아 불량률을 획기적으로 낮춥니다.
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프로브 카드
2026.04.03
수천 개의 바늘로 웨이퍼 칩의 전기 신호를 받아 합격 유무를 판별하는 소모성 부품입니다.
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플립 칩
2026.04.03
칩을 뒤집어 전극(범프)이 바로 기판에 닿게 하여 속도와 크기를 개선한 본딩법입니다.
공정
하이이브리드 본딩
2026.04.03
범프 없이 구리와 구리를 직접 붙여 연결 밀도를 극대화한 차세대 패키징 본딩 기술입니다.
공정
해상도
2026.04.03
노광 시스템이 구별할 수 있는 최소 회로 선폭입니다. 광원의 파장에 비례합니다.
공정
확산
2026.04.03
고온 환경에서 불순물을 웨이퍼 내부로 스며들게 하여 전기적 특성을 조절하는 공정입니다.
공정
활성화
2026.04.03
열처리를 통해 주입된 이온이 실리콘 격자 사이로 들어가 전기적 특성을 갖게 하는 단계입니다.