기초/기타
ALD (Atomic Layer Deposition)
ALD는 원자층 증착을 의미하며, 기판 표면에 전구체 가스를 교대로 주입하여 원자 단위의 얇은 막을 한 층씩 증착하는 기술입니다. 각 단계에서 반응 가스가 자기 제한적으로 흡착되므로 탁월한 두께 균일성과 높은 종횡비 구조에서의 우수한 계단 피복성(step coverage)을 제공합니다. 이는 고성능 로직 및 메모리 반도체의 미세화된 트랜지스터 게이트 절연막, 커패시터 유전체 등에 필수적으로 사용됩니다.
최종 업데이트: 2026.04.03