전공정(FAB)
Atomic Layer Deposition (ALD) (원자층 증착)
전구체 가스를 교대로 주입하여 웨이퍼 표면에 원자층 단위로 박막을 성장시키는 증착 기술입니다. 각 전구체는 표면과 자가 포화 반응을 일으키므로 매우 얇고 균일하며, 높은 종횡비 구조에서도 뛰어난 스텝 커버리지(Step Coverage)를 제공합니다. ALD는 고유전율(High-k) 게이트 유전체, 배리어 층 등 차세대 반도체 소자의 핵심 박막 형성 기술로 각광받고 있습니다.
최종 업데이트: 2026.04.03