Atomic Layer Etching (ALE) (원자층 식각)

원자층 증착(ALD)과 유사하게, 기판 표면의 원자층을 한 층씩 정밀하게 제거하는 초정밀 건식 식각 기술입니다. 일반적인 플라즈마 식각과 달리, ALE는 표면 반응(표면 활성화)과 이온 충격(반응물 제거) 단계를 반복하여 원자 수준의 제어력으로 식각 깊이와 형상을 조절합니다. GAA 나노시트의 정밀한 형상 구현, CFET의 수직 적층 구조 형성, 그리고 미세 선폭의 패턴에서 발생하는 식각 결함(Etch Damage)을 최소화하는 데 필수적입니다. 차세대 트랜지스터 구조의 복잡한 3D 형상 구현에 있어 핵심적인 요소 기술입니다.