Backside Power Delivery (BSPDN)

BSPDN은 반도체 칩의 전력 공급망(Power Delivery Network)을 칩의 로직 회로가 위치한 전면(Frontside)이 아닌 후면(Backside)에 형성하는 혁신적인 공정 기술입니다. 기존에는 신호선과 전력선이 모두 전면의 금속 배선층을 공유하여 공간적 제약과 IR 드롭(IR Drop) 문제를 야기했습니다. BSPDN은 칩의 후면을 가공하여 전력 전극을 배치함으로써 전면의 배선 공간을 신호선에 전적으로 할애할 수 있게 합니다. 이는 트랜지스터 밀도가 극도로 높아지는 2nm 이하 초미세 공정에서 전력 효율성을 극대화하고 신호 무결성을 향상시키는 데 필수적인 기술로, 제조 공정의 복잡성과 웨이퍼 후면 가공 기술의 정밀도를 요구합니다.