Backside Power Delivery Network (BSPDN) (후면 전력 공급망)

트랜지스터 층 위가 아닌 웨이퍼의 후면(Backside)을 통해 전력을 공급하는 혁신적인 구조를 의미합니다. 기존에는 전력선과 신호선이 트랜지스터 층 위에 함께 배치되어 복잡성을 증가시키고 트랜지스터 밀도 향상에 제약을 주었으나, BSPDN은 전력선을 후면으로 분리하여 전력 공급 효율을 높이고 전면(Frontside)의 신호선 밀도를 최적화할 수 있습니다. 이를 통해 고밀도 로직 집적과 성능 향상을 동시에 가능하게 하며, 특히 CFET과 같은 3D 적층 트랜지스터 아키텍처에서 더욱 중요성이 부각되고 있습니다. 2nm 이후 공정의 핵심 요소로 평가됩니다.