BSI

반도체 BSI(Back Side Illumination, 후면 조사형)는 CMOS 이미지 센서의 픽셀 구조를 개선하여 빛을 받는 면(후면)에 회로를 배치, 수광률을 높이고 저조도 성능을 향상시킨 기술입니다. 기존 FSI(전면 조사) 방식보다 노이즈가 적고, 더 많은 빛을 포착해 고화질 사진을 구현하는 고해상도 이미지 센서에 주로 사용됩니다.

핵심 정보 및 장점
구조적 특징: 기존 구조에서 빛을 받는 면 위에 있던 금속 배선 층을 수광 포토다이오드 아래로 옮겨, 빛이 배선에 가려지지 않고 바로 센서에 도달하게 한 방식입니다.
수광률 및 감도 향상: 빛을 더 많이 효율적으로 받아들여 동일한 크기의 센서라도 더 높은 감도와 고화질 영상을 제공합니다.
저조도 성능 개선: 빛이 부족한 환경에서도 노이즈를 줄이고 선명한 사진을 촬영할 수 있어 스마트폰 카메라의 핵심 기술로 자리 잡았습니다.

주요 활용: SK하이닉스의 CIS 혁신에 따르면 BSI와 DTI(Deep Trench Isolation) 등의 미세 공정을 통해 고화소 밀집이 가능해졌습니다. 또한 물리학과 첨단기술의 반도체 공정 발전 소식 등에서 고해상도 이미지 센서의 핵심 기술로 설명됩니다.