CFET (Complementary Field-Effect Transistor)

CFET은 2nm 이하 초미세 공정을 위한 차세대 트랜지스터 구조로, 기존 GAA(Gate-All-Around) 구조의 한계를 극복하기 위해 N형 MOSFET과 P형 MOSFET을 수직으로 적층한 형태입니다. 이를 통해 칩 면적 내 트랜지스터 밀도를 획기적으로 높이고, 채널 길이 축소에 따른 전력 소모 증가를 억제하여 전력 효율과 성능을 동시에 개선할 수 있습니다. CFET은 GAA 구조의 장점을 계승하면서도 추가적인 스케일링을 가능하게 하는 핵심 기술로, 현재 연구개발 단계에서 양산 적용을 위한 재료 및 공정 기술 난제를 해결하는 데 주력하고 있습니다.