전공정(FAB)
Chemical Mechanical Planarization (CMP) (화학 기계적 평탄화)
웨이퍼 표면을 기계적 연마(polishing)와 화학적 부식(etching)의 복합 작용을 통해 평탄화하는 공정입니다. 웨이퍼를 회전하는 패드에 압착시키고 슬러리(연마액)를 공급하여 불필요한 물질을 제거합니다. CMP는 다층 배선 구조에서 각 층의 높이 차이를 제거하여 후속 공정의 초점 심도(Depth of Focus)를 확보하고, 미세 패턴의 균일성을 유지하는 데 필수적인 기술입니다.
최종 업데이트: 2026.04.03