기초/기타
CMP (Chemical Mechanical Planarization)
CMP는 반도체 웨이퍼 표면을 화학적 용액(슬러리)과 기계적 연마(회전 패드)를 결합하여 평탄화하는 공정입니다. 이 기술은 다층 금속 배선 구조에서 각 층의 높이 차이를 제거하여 후속 리소그래피 공정의 초점 심도(Depth of Focus)를 확보하고 수율을 향상하는 데 필수적입니다. 특히, 첨단 노드에서는 초미세 회로 형성의 핵심 기술로 활용됩니다.
최종 업데이트: 2026.04.03