Computational Lithography (컴퓨테이셔널 리소그래피)

리소그래피 공정의 한계를 극복하고 패턴 전사 정확도를 극대화하기 위해 컴퓨터 기반의 모델링, 시뮬레이션, 최적화 기술을 활용하는 포괄적인 접근 방식입니다. OPC(Optical Proximity Correction), SMO(Source-Mask Optimization), ILT(Inverse Lithography Technology) 등이 여기에 속하며, 마스크 패턴 설계 단계에서부터 웨이퍼 상의 최종 패턴이 원하는 형태로 구현되도록 미리 보정하고 최적화합니다. 차세대 리소그래피 공정에서 수율 및 성능 향상에 필수적인 기술입니다.