공정 소재(Material)
Copper (Cu) Metallization (구리 배선)
반도체 소자 내 트랜지스터들을 상호 연결하는 배선층에 구리(Cu)를 사용하는 기술입니다. 구리는 기존 알루미늄보다 낮은 전기 저항과 높은 전자이동 저항성을 제공하여, 미세 공정에서 RC 지연을 줄이고 전력 소모를 감소시키며 신뢰성을 향상시키는 데 필수적입니다. 주로 다마신(Damascene) 공정을 통해 증착 및 패터닝되며, 현대 고성능 로직 및 메모리 소자의 핵심 배선 재료로 활용됩니다.
최종 업데이트: 2026.04.03