기초/기타
Critical Electric Field (임계 전기장)
반도체 물질이 전기적으로 항복(breakdown)을 일으키기 시작하는 최대 전기장 강도를 나타내는 고유 물성치입니다. 넓은 밴드갭 반도체인 GaN과 SiC는 실리콘(Si)보다 훨씬 높은 임계 전기장을 가지며, 이는 이들이 더 높은 전압에서 동작하고 더 작은 소자 크기로도 고전압을 견딜 수 있음을 의미합니다. 전력 반도체 설계 시 항복 전압을 결정하는 가장 중요한 요소 중 하나입니다.
최종 업데이트: 2026.04.04