기초/기타
Direct Bandgap Transition (Monolayer TMDs) (단일층 TMD의 직접 밴드갭 전이)
단일 원자층 두께의 전이 금속 이황화물(TMD)에서 전자가 밴드갭을 넘어 전이할 때, 전자의 운동량 변화 없이 직접적으로 가전자대 최상단에서 전도대 최하단으로 이동하는 현상입니다. 벌크 상태의 TMD는 간접 밴드갭을 가지지만, 단일층으로 줄어들면서 양자 구속 효과에 의해 직접 밴드갭으로 바뀝니다. 이는 높은 광발광 효율과 광 흡수율을 가져와 LED, 레이저, 광검출기 등 광전자 소자에 매우 유리합니다.
최종 업데이트: 2026.04.04