전공정(FAB)
Dishing (디싱)
CMP 공정 후 웨이퍼 표면의 넓은 배선 영역이 주변 유전체보다 더 많이 연마되어 오목하게 파이는 현상입니다. 이는 특히 금속 배선과 같은 부드러운 물질이 경계층보다 더 빠르게 제거될 때 발생하며, 배선 저항 증가나 후속 증착 공정의 문제점을 야기할 수 있습니다. 디싱은 CMP 공정 파라미터 최적화를 통해 최소화해야 할 중요한 결함입니다.
최종 업데이트: 2026.04.03