전공정(FAB)
Dopant Activation (도펀트 활성화)
이온 주입 후 웨이퍼 내부에 주입된 도펀트 이온들을 결정 격자 내의 적절한 위치로 이동시켜 전기적으로 활성화시키는 열처리 공정입니다. 이온 주입 시 발생하는 결정 격자 손상을 복구하고, 도펀트가 전자를 제공하거나(n형) 전자를 받아들이는(p형) 역할을 할 수 있도록 합니다. 충분한 도펀트 활성화는 소자의 온-저항(On-resistance)을 낮추고 스위칭 속도를 향상시키는 데 필수적입니다.
최종 업데이트: 2026.04.03