전공정(FAB)
Dose (도즈)
이온 주입 공정에서 웨이퍼 단위 면적당 주입되는 불순물 이온의 총량(원자/cm²)을 나타내는 매개변수입니다. 도즈는 반도체 소자의 특정 영역에 필요한 캐리어 농도를 결정하며, 이는 소자의 문턱 전압, 온-저항 등 전기적 특성에 직접적인 영향을 미칩니다. 정밀한 도즈 제어는 트랜지스터의 원하는 성능을 구현하고 소자 간 특성 편차를 줄이는 데 매우 중요합니다.
최종 업데이트: 2026.04.03