설계(Design)
Electromigration (EM)
일렉트로마이그레이션(EM)은 반도체 칩 내부의 금속 배선에 고밀도의 전류가 흐를 때, 전자의 충돌로 인해 금속 원자들이 이동하면서 배선에 결함(공극 또는 힐록)이 발생하는 현상입니다. 이는 배선의 단선이나 단락을 유발하여 칩의 수명을 단축시키고 신뢰성을 저해합니다. 설계자는 EM 분석을 통해 전류 밀도가 높은 부분을 식별하고, 배선 폭을 늘리거나 비아 수를 추가하는 방식으로 EM 내구성을 강화합니다.
최종 업데이트: 2026.04.03