Epitaxial Channel Fabrication (에피택셜 채널 형성)

반도체 기판 위에 단결정(Single Crystal) 박막을 성장시켜 트랜지스터의 채널 영역을 형성하는 공정 기술입니다. 특히 실리콘-게르마늄(SiGe)과 같은 이종 물질을 에피택셜 방식으로 성장시켜 채널에 압축 또는 인장 스트레스를 유도함으로써, 전자의 이동도(Mobility)를 크게 향상시켜 트랜지스터의 전류 구동 능력을 극대화하는 데 사용됩니다. GAA(Gate-All-Around) 및 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET) 구조의 나노시트 채널 형성에도 핵심적으로 적용되며, 채널 물질의 정밀한 조성 및 두께 제어가 성능에 결정적인 영향을 미칩니다.