설비/장비(Equip)
EUV High-NA Lithography
EUV High-NA 리소그래피는 기존 EUV 리소그래피의 개구수(Numerical Aperture, NA)를 0.33에서 0.55 이상으로 높여, 더 미세한 패턴을 한 번의 노광으로 구현할 수 있게 하는 차세대 극자외선 리소그래피 기술입니다. NA 값이 높아짐에 따라 해상도가 향상되어 2나노미터(nm) 이하의 미세 공정에서 요구되는 복잡하고 정밀한 회로 패턴 형성이 가능해집니다. 이를 위해 새로운 렌즈 설계, 고출력 EUV 광원, 그리고 고감도 포토레지스트 등 광범위한 기술 혁신이 수반됩니다.
최종 업데이트: 2026.04.11