EUV High-NA Lithography - NA 0.75 and Beyond

High Numerical Aperture (High-NA) EUV 리소그래피는 기존 NA 0.33보다 높은 NA 0.55, 그리고 더 나아가 NA 0.75 이상의 렌즈 시스템을 사용하여 EUV 빛을 더욱 집속시켜 미세 패턴을 구현하는 차세대 리소그래피 기술입니다. NA 값이 높아짐에 따라 회절 한계를 극복하고 더 짧은 파장의 빛으로도 미세한 선폭을 구현할 수 있게 되어, 3nm 이하 공정 노드에서 미세화의 한계를 돌파하는 핵심적인 역할을 수행합니다. High-NA EUV는 기존 EUV보다 훨씬 높은 해상도와 정밀도를 제공하며, 마스크 오류 감소 및 공정 경제성 향상에도 기여할 것으로 기대됩니다.