전공정(FAB)
EUV Lithography (극자외선 리소그래피)
13.5 나노미터(nm)의 극자외선(EUV) 파장 광원을 사용하여 반도체 웨이퍼에 초미세 회로 패턴을 형성하는 차세대 리소그래피 기술입니다. 기존 DUV(심자외선) 리소그래피의 해상도 한계를 극복하고, 멀티패터닝 공정의 복잡성을 줄여 단일 노광으로 더 미세한 패턴을 구현할 수 있습니다. High-NA EUV와 같은 기술 발전과 함께 7nm 이하의 첨단 노드 양산에 필수적인 핵심 공정 기술입니다.
최종 업데이트: 2026.04.04