전공정(FAB)
Ferroelectric Gate-All-Around FET (FeFET-GAA)
이는 GAA 구조의 게이트 전극 영역에 강유전체 물질(Ferroelectric Material)을 적용한 트랜지스터 구조입니다. FeFET는 기존의 게이트 산화물 기반 스케일링 한계를 극복하고, 트랜지스터가 전원을 차단했을 때도 메모리 상태(Polarization)를 유지하는 비휘발성(Non-Volatile) 특성을 제공합니다. GAA 구조와의 결합은 GAA가 제공하는 우수한 구동 전류와 FeFET가 제공하는 비휘발성을 동시에 확보하여, 고효율의 저전력 메모리 컴퓨팅 구현을 가능케 합니다.
최종 업데이트: 2026.04.16