Ferroelectric HfO2 (강유전체 HfO2)

주로 고유전율(High-k) 게이트 유전체로 사용되는 하프늄 산화물(HfO2)에 특정 도펀트(예: Si, Zr, Al)를 첨가하거나 특정 열처리 공정을 통해 강유전 특성을 부여한 물질입니다. 이 강유전 특성은 외부 전기장 없이도 자발적인 쌍극자 분극(Spontaneous Polarization)을 유지할 수 있게 하여, NCFET(Negative Capacitance FET)와 같은 부성 커패시턴스 소자에 활용됩니다. 또한, 비휘발성 메모리(FeRAM, FeFET)에도 응용되어 차세대 메모리 기술의 핵심 재료로도 연구되고 있습니다. 저전력 소자 및 고밀도 메모리 구현의 핵심 신소재입니다.