Forksheet FET (포크시트 FET)

GAA(Gate-All-Around) 나노시트 트랜지스터의 진화된 형태로, n-FET과 p-FET의 게이트를 분리하면서도 두 트랜지스터를 매우 가깝게 배치하여 셀 면적을 더욱 줄이는 구조입니다. 이 구조에서는 게이트 절연체와 금속 게이트가 채널을 둘러싸는 포크(Fork) 모양으로 형성되어, 기존 GAA 대비 p-n 간격(p-n separation)을 최소화할 수 있습니다. 이를 통해 밀도 향상과 함께 단채널 효과 제어 및 성능 최적화가 가능하며, CFET으로의 전환 전 중간 단계 기술로 주목받고 있습니다. 2nm 이하 공정을 위한 유력한 차세대 소자 기술 중 하나입니다.