Forksheet FET (포크시트 FET)

Forksheet FET은 Gate-All-Around (GAA) 나노시트 트랜지스터의 혁신적인 발전 형태로, 인접한 N-채널 및 P-채널 트랜지스터 사이의 게이트를 절연하는 '포크' 형태의 절연체 벽을 도입합니다. 이 구조는 N/P 간 간격을 더욱 줄여 로직 셀 밀도를 극대화하면서도 우수한 정전기적 제어와 성능을 유지할 수 있도록 설계되었습니다. 특히, 극단적인 스케일링 노드에서 Short Channel Effect (SCE)를 효과적으로 억제하고, 전류 구동 능력을 향상시켜 차세대 고성능 및 저전력 반도체 구현에 필수적인 기술로 평가됩니다.