Frontside (전면)

반도체 제조 공정에서 전면은 실리콘 웨이퍼 상에 트랜지스터와 같은 능동 소자(Active Devices)가 형성되고, 이들을 연결하는 최초의 금속 배선층이 구축되는 웨이퍼의 상단부를 의미합니다. 전통적으로 전력 공급망(PDN)과 신호선이 모두 이 전면의 금속층에 함께 형성되어 왔습니다. 전면 공정은 미세 식각, 증착, 이온 주입 등 복잡하고 정밀한 수많은 단계들을 포함하며, 소자의 전기적 특성과 성능을 직접적으로 결정합니다. 최근 BSPDN(Backside Power Delivery Network) 기술이 도입되면서, 전력선이 후면으로 분리될 경우 전면의 배선 공간은 전적으로 신호선에 집중되어 더욱 미세하고 효율적인 소자 구현이 가능해집니다.