GAA Nanosheet Transistor (GAA 나노시트 트랜지스터)

핀펫(FinFET) 이후의 차세대 트랜지스터 구조로, 채널을 여러 개의 얇은 시트(나노시트) 형태로 적층하고 게이트가 이 시트들을 사면에서 완전히 감싸는 형태를 취합니다. 이는 게이트 제어력을 극대화하여 단채널 효과(Short Channel Effect)를 효과적으로 억제하며, 채널 폭 조절을 통해 전류 구동 능력을 유연하게 제어할 수 있는 장점이 있습니다. 특히 3nm 이하의 초미세 공정에서 핵심적인 기술로 자리 잡고 있으며, 인텔, 삼성, TSMC 등 주요 파운드리에서 개발 및 양산 적용을 추진하고 있습니다. 높은 성능과 저전력 특성을 동시에 달성할 수 있어 고성능 컴퓨팅 및 모바일 애플리케이션에 필수적입니다.