GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor)

트랜지스터의 게이트가 소스의 모든 면을 감싸는 구조로, 기존 FinFET 대비 채널 제어 능력을 극대화하여 누설 전류를 획기적으로 감소시키고 성능을 향상시키는 차세대 트랜지스터 구조입니다. GAAFET는 특히 3nm 이하 공정에서 FinFET의 한계를 극복하고, 더 높은 이동성을 가진 채널 물질(예: InGaAs)을 활용할 수 있는 유연성을 제공합니다. MBCFET (Multi-Bridge Channel FET)나 CFET (Complementary FET) 등 다양한 형태로 발전하고 있으며, 고성능 및 저전력 반도체 구현의 핵심 기술로 자리매김하고 있습니다.