공정 소재(Material)
GaN-on-Si (Gallium Nitride on Silicon)
GaN-on-Si는 질화갈륨(GaN) 반도체를 실리콘(Si) 웨이퍼 위에 성장시키는 기술로, 기존의 실리콘 기반 공정 인프라를 활용하면서 GaN의 고성능 특성을 구현할 수 있다는 장점이 있습니다. GaN은 실리콘보다 높은 전력 효율, 고주파 동작, 높은 내열성을 가지므로, 고출력 전력 반도체, RF 통신, 전기차용 인버터 등 다양한 분야에서 기존 실리콘 반도체를 대체하며 각광받고 있습니다. 이 기술은 비용 효율성을 높이면서 차세대 전력 및 RF 소자 개발을 가속화합니다.
최종 업데이트: 2026.04.10