전공정(FAB)
Gate-All-Around FET (GAA FET)
기존 FinFET의 채널 3면만 게이트가 감싸는 구조에서 벗어나, 나노 와이어 또는 나노 시트 형태의 채널을 게이트가 완전히 360도 둘러싸는 구조를 의미합니다. 이를 통해 게이트 컨트롤 효율을 극대화하여 누설 전류를 획기적으로 줄이고 성능을 향상시킬 수 있습니다. GAA FET는 3nm 이하 미세 공정에서 필수적인 차세대 트랜지스터 구조로, MBCFET(Multi-Bridge Channel FET)이나 CFET(Complementary FET) 등의 다양한 형태로 구현되고 있습니다.
최종 업데이트: 2026.04.11