전공정(FAB)
Gate-All-Around FET (GAA FET) - Next Generation
기존의 FinFET 구조를 넘어서는 차세대 트랜지스터 구조로, 채널 전체를 게이트가 360도로 둘러싸는 형태를 취합니다. 이는 누설 전류를 획기적으로 줄이고 온 전류를 증가시켜 소자 성능을 극대화하며, 특히 3nm 이하 공정에서 미세화를 통한 성능 향상에 필수적인 기술입니다. MBCFET (Multi-Bridge Channel FET)이나 CFET (Complementary FET)와 같은 다양한 변형이 존재하며, 각각의 장점을 활용하여 최적의 성능을 구현합니다.
최종 업데이트: 2026.04.10