전공정(FAB)
Gate-All-Around FET (GAAFET)
기존 FinFET 구조의 채널 제어 한계를 극복하기 위해 게이트가 트랜지스터 채널을 360도 둘러싸는 구조입니다. 이는 문턱 전압(Vt) 변동성을 줄이고 누설 전류를 획기적으로 감소시켜 전력 효율성과 성능을 극대화합니다. GAAFET는 나노미터 스케일의 초미세 공정에서 필수적인 트랜지스터 구조로 자리매김하고 있으며, MBCFET(Multi-Bridge Channel FET)와 같이 다양한 변형 구조가 연구되고 있습니다.
최종 업데이트: 2026.04.13