Gate-All-Around FET (GAAFET) - Nanosheet/Nanowire Architecture

GAAFET은 기존의 FinFET 구조에서 채널을 완전히 둘러싸는 게이트 구조를 통해 누설 전류를 획기적으로 줄이고 문턱 전압 제어 능력을 향상시킨 차세대 트랜지스터입니다. 특히 나노시트(Nanosheet) 또는 나노와이어(Nanowire) 형태의 채널을 적용함으로써 동일 면적 내에서 채널의 총 폭을 늘려 전류 구동 능력을 극대화합니다. 이는 미세 공정으로 갈수록 성능 저하의 주요 원인이 되는 단채널 효과(Short Channel Effect)를 효과적으로 억제하며, 저전력 고성능 SoC 구현에 필수적인 기술로 각광받고 있습니다.