전공정(FAB)
Gate-All-Around (GAA) FET
기존의 FinFET 구조를 넘어 게이트가 채널의 모든 면을 완전히 감싸는 구조의 트랜지스터입니다. 이는 게이트 제어 능력을 극대화하여 누설 전류를 획기적으로 줄이고, 트랜지스터의 성능과 효율을 높여 차세대 고성능 및 저전력 반도체 구현에 필수적인 기술로 주목받고 있습니다. GAA FET는 MBCFET (Multi-Bridge Channel FET) 또는 CFET (Complementary FET)와 같은 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 3nm 이하 공정 노드에서 핵심적인 역할을 할 것으로 예상됩니다.
최종 업데이트: 2026.04.10