공정 소재(Material)
Gate Last Process (게이트 후처리 공정)
트랜지스터 제조 공정 중 게이트 전극을 형성하는 순서를 일반적인 공정(Gate First)과 달리, 소스/드레인 형성 및 열처리 공정 후에 게이트 유전체와 금속 게이트를 형성하는 방식입니다. 이 공정은 하이-k(High-k) 유전체와 금속 게이트 재료가 고온 열처리로 인해 손상되거나 특성이 저하되는 것을 방지합니다. 미세 공정에서 트랜지스터 성능을 최적화하고 누설 전류를 줄이는 데 필수적인 금속 게이트 통합 기술입니다.
최종 업데이트: 2026.04.03