Guard Ring (가드 링)

반도체 소자에서 가드 링은 주로 트랜지스터나 다이오드 주변에 형성되는 도핑된 영역 또는 금속 구조물을 의미하며, 주변 소자로부터의 전기적 간섭이나 누설 전류를 차단하여 소자 특성을 보호하는 역할을 합니다. 특히 CMOS 공정에서 N-웰 또는 P-웰과 기판 사이의 PN 접합 역바이어스 파괴를 방지하거나, 기생 바이폴라 트랜지스터의 턴-온을 억제하여 래치업(Latch-up) 현상을 방지하는 데 핵심적인 역할을 합니다. 이 구조는 인접한 소자의 전하 이동을 포획하거나 고전압 스트레스로부터 민감한 소자를 보호하여 장치의 신뢰성과 안정성을 높이는 데 기여합니다. 고전력 또는 고전압 환경에서 필수적으로 적용되는 보호 메커니즘 중 하나입니다.