전공정(FAB)
HEMT (High Electron Mobility Transistor) (고전자이동도 트랜지스터)
GaN 및 SiC와 같은 넓은 밴드갭 반도체를 기반으로 하는 고주파 및 고전력 응용 분야에 적합한 트랜지스터입니다. 이종 접합에서 2DEG(2차원 전자 가스)를 형성하여 전자가 높은 이동도를 가지고 산란 없이 빠르게 이동할 수 있도록 합니다. 이를 통해 고속 스위칭과 높은 출력 전력을 구현하며, 주로 무선 통신 기지국, 레이더, 전기차 충전기 등에 활용됩니다.
최종 업데이트: 2026.04.04