전공정(FAB)
High-k Dielectric (고유전율 유전체)
기존의 이산화규소(SiO2) 유전체보다 유전율(k)이 훨씬 높은 물질로, 게이트 산화막으로 사용되어 누설 전류를 줄이고 커패시턴스를 증가시킵니다. 트랜지스터의 게이트 산화막 두께를 물리적으로 줄이는 데 한계가 도달하면서, 높은 유전율을 가진 물질(예: HfO2)을 도입하여 더 얇은 전기적 유효 두께를 구현합니다. 이는 소자의 성능을 향상시키고 전력 소모를 줄이는 데 결정적인 역할을 합니다.
최종 업데이트: 2026.04.03