공정 소재(Material)
High-k Dielectric (고유전율 절연막)
실리콘 산화막(SiO2)보다 유전 상수(k)가 훨씬 높은 절연막 재료로, 주로 트랜지스터의 게이트 유전체로 사용됩니다. 게이트 유전체의 두께를 물리적으로 줄이지 않고도 전기적 등가 산화막 두께(EOT)를 효과적으로 감소시켜, 게이트 누설 전류를 현저히 줄이고 문턱 전압 제어 능력을 향상시킵니다. 하프늄 산화물(HfO2) 등이 대표적이며, 미세 공정의 금속 게이트와 함께 사용되어 트랜지스터 성능을 극대화합니다.
최종 업데이트: 2026.04.03