설비/장비(Equip)
High-NA EUV (High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography)
High-NA EUV는 EUV 리소그래피의 개구수(Numerical Aperture)를 0.33에서 0.55로 높여 더 미세한 패턴을 구현할 수 있게 하는 차세대 리소그래피 기술입니다. 이를 통해 2nm 이하의 첨단 공정에서 더 높은 집적도와 성능을 가진 반도체 칩 생산이 가능해집니다. High-NA EUV는 기존 EUV보다 더 좁은 선폭과 더 작은 간격을 새길 수 있어, 차세대 로직 칩 및 메모리 생산에 필수적인 기술로 간주됩니다.
최종 업데이트: 2026.04.10