High-NA EUV Lithography (하이-NA EUV 리소그래피)

현재 양산 적용 중인 극자외선(EUV) 리소그래피의 다음 세대 기술로, 노광 장비의 개구수(Numerical Aperture, NA)를 기존 0.33에서 0.55로 높여 해상도(Resolution)를 대폭 향상시킨 기술입니다. NA가 높아지면 더 미세한 패턴을 구현할 수 있어, 2nm 이하의 초미세 트랜지스터 구조(예: GAA, CFET) 및 복잡한 3D 구조의 패터닝에 필수적입니다. 더 높은 광원 출력과 정밀한 웨이퍼 스테이지 제어 기술을 요구하며, 장비의 복잡성과 비용이 크게 증가하지만, 미세 공정 로드맵의 한계를 극복하기 위한 유일한 솔루션으로 여겨집니다.