설비/장비(Equip)
High-NA EUV Lithography
기존 EUV(Extreme Ultraviolet) 리소그래피보다 높은 개구수(Numerical Aperture, NA)를 갖는 EUV 리소그래피 기술로, 0.33 NA에서 0.55 NA 이상으로 발전하여 해상도를 획기적으로 높입니다. 이는 2nm 이하 미세 공정에서 패턴을 더욱 정밀하게 구현할 수 있게 하며, 고밀도 집적화를 가능하게 합니다. High-NA EUV는 차세대 반도체 미세화의 핵심 기술로, ASML과 같은 장비 업체의 기술 개발 경쟁이 치열하게 벌어지고 있습니다.
최종 업데이트: 2026.04.13