전공정(FAB)
HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) (수소화물 기상 에피택시)
넓은 밴드갭 반도체, 특히 고품질의 두꺼운 질화갈륨(GaN) 층을 성장시키는 데 사용되는 에피택시 증착 기술입니다. 암모니아(NH3)와 염화갈륨(GaCl) 같은 수소화물 소스를 이용하여 고속으로 에피 성장률을 달성합니다. GaN 동종 기판 제작이나 GaN 전력 소자의 드리프트 층과 같은 두꺼운 층 성장에 매우 효율적이며, 높은 결정 품질을 제공합니다.
최종 업데이트: 2026.04.04