Hybrid Bonding (하이브리드 본딩)

하이브리드 본딩은 반도체 칩 간 또는 웨이퍼 간을 미세 범프 없이 구리(Cu) 패드와 유전체(Dielectric)를 직접 연결하는 차세대 패키징 기술입니다. 이 방식은 기존 마이크로 범프 기반의 본딩 방식보다 훨씬 미세한 피치(pitch)로 연결이 가능하여 I/O 밀도를 획기적으로 높일 수 있으며, 연결 저항과 열 저항을 크게 낮추는 장점이 있습니다. 특히 고대역폭 메모리(HBM)나 3D SoC와 같이 칩 간 대량의 데이터 전송과 효율적인 열 관리가 요구되는 애플리케이션에 필수적인 기술로 부상하고 있습니다. 이 기술은 패키지 두께를 줄이고, 전력 효율을 개선하며, 고온 환경에서의 신뢰성을 높이는 데 기여합니다.