Inner Spacer Engineering (내부 스페이서 공정)

GAA(Gate-All-Around) 및 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET) 구조에서 게이트와 채널 사이의 누설 전류를 제어하고 트랜지스터 성능을 최적화하는 데 필수적인 공정 기술입니다. 게이트 스택 형성 전, 채널을 둘러싸는 나노시트들 사이에 정밀한 두께의 절연체(스페이서)를 형성하여 게이트 길이가 지나치게 짧아지는 것을 방지하고, 소스/드레인 확장 영역과의 전기적 분리를 보장합니다. 이 스페이서의 재료, 두께 및 형상은 트랜지스터의 구동 전류, 누설 전류, 단채널 효과 등에 직접적인 영향을 미치므로, 정밀한 원자층 증착(ALD) 및 식각(ALE) 기술이 요구됩니다.