공정 소재(Material)
Interconnect Delay (배선 지연)
반도체 소자 내 금속 배선을 통해 전기 신호가 전달되는 데 걸리는 시간 지연을 의미하며, 주로 배선 저항(R)과 주변 유전체층의 커패시턴스(C)의 곱(RC)으로 표현됩니다. 배선 지연은 미세 공정에서 트랜지스터 스위칭 속도보다 더 큰 비중을 차지하여 전체 소자 성능을 저하시키는 주된 요인입니다. 저저항 금속(구리)과 저유전율(low-k) 절연막을 사용하여 RC 값을 최소화하는 것이 중요합니다.
최종 업데이트: 2026.04.03