기초/기타
Ion Implantation (이온 주입)
이온 주입은 반도체 웨이퍼에 도펀트 이온을 가속하여 충돌시켜 주입하는 정밀한 도핑 기술입니다. 이 방법을 통해 도펀트의 종류, 주입량, 깊이를 매우 정확하게 제어할 수 있어 균일하고 반복 가능한 전기적 특성을 얻을 수 있습니다. 트랜지스터의 소스/드레인 영역, 문턱 전압 조절, 웰 형성 등 현대 반도체 소자의 핵심 구조를 형성하는 데 필수적으로 사용됩니다.
최종 업데이트: 2026.04.03